APL502LG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APL502LG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 58.0 A
漏源极电阻 90 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 730 W
阈值电压 4 V
输入电容 9.00 nF
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 58.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 730W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 26.49 mm
宽度 20.5 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APL502LG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APL502LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APL502LG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 500V 58A 9nF | 当前型号 | TO-264 N-CH 500V 58A | 当前型号 |
| 型号： APL502L 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 线性MOSFET LINEAR MOSFET | APL502LG和APL502L的区别 |