APTM120DA30T1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM120DA30T1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 657W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 31A
输入电容Ciss 14560pF @25VVds
额定功率Max 657 W
耗散功率Max 657W Tc
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM120DA30T1G引脚图与封装图
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