APTGV50H60T3G

Microsemi(美高森美) 分立器件

全 - 桥NPT和沟道+场终止？ IGBT功率模块 Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop? IGBT Power module

IGBT 模块 NPT，沟槽型场截止全桥反相器 600 V 80 A 176 W 底座安装 SP3

得捷:
IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 80A/80A/65A/65A 32-Pin Case SP-3

APTGV50H60T3G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.15nF @25V

额定功率Max 176 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGV50H60T3G引脚图与封装图

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