APTM10DDAM19T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM10DDAM19T3G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 125 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 208000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 32
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM10DDAM19T3G引脚图与封装图
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