APTM10DSKM19T3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM10DSKM19T3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
额定功率Max 208 W
封装参数
安装方式 Screw
封装 SP-3
外形尺寸
封装 SP-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM10DSKM19T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APTM10DSKM19T3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTM10DSKM19T3G | Microsemi 美高森美 | 双降压斩波MOSFET功率模块 Dual Buck chopper MOSFET Power Module | 搜索库存 |