APTGT50A1202G

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 75A 18Pin Case SP-2

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP2

得捷:
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP2

贸泽:
IGBT Modules Power Module - IGBT

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 18-Pin Case SP-2

APTGT50A1202G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 277 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.6nF @25V

额定功率Max 277 W

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 277000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 18

封装 SP-2

外形尺寸

封装 SP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT50A1202G引脚图与封装图

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