APT33N90JCCU2

Microsemi(美高森美) 分立器件

ISOTOP®升压斩波超级结MOSFET的SiC二极管的菜刀 ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET SiC chopper diode

底座安装 N 通道 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227

得捷:
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 33A 4-Pin SOT-227

APT33N90JCCU2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 290W Tc

漏源极电压Vds 900 V

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT33N90JCCU2引脚图与封装图

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