APTGT100A602G

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 18Pin Case SP-2

IGBT 模块沟槽型场截止半桥 600 V 150 A 340 W 通孔 SP2

得捷:
IGBT MODULE 600V 150A 340W SP2

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 18-Pin Case SP-2

APTGT100A602G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 6.1nF @25V

额定功率Max 340 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 340000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 18

封装 SP-2

外形尺寸

封装 SP-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTGT100A602G引脚图与封装图

暂无图片

在线购买APTGT100A602G

型号	制造商	描述	购买
APTGT100A602G	Microsemi 美高森美	Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 18Pin Case SP-2	搜索库存