APTGT50SK170T1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 312 W
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 4.4nF @25V
额定功率Max 312 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 312000 mW
安装方式 Screw
引脚数 12
封装 SP-1
长度 51.6 mm
宽度 40.8 mm
高度 11.5 mm
封装 SP-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APTGT50SK170T1G | Microsemi 美高森美 | 降压斩波沟道+场站IGBT®电源模块 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT® Power Module | 搜索库存 |