APT100GT120JR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT100GT120JR中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 6.7nF @25V
额定功率Max 570 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT100GT120JR引脚图与封装图
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