APTC60DDAM70T1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTC60DDAM70T1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 39A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 84 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 10
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTC60DDAM70T1G引脚图与封装图
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