APT100GT60JRDQ4
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT100GT60JRDQ4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 5.15nF @25V
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT100GT60JRDQ4引脚图与封装图
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