耗散功率 290000 mW
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT50N60JCCU2 | Microsemi 美高森美 | ISOTOP ?升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP? Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT50N60JCCU2 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SOT-227 | 当前型号 | ISOTOP ?升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP? Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | 当前型号 | |
型号: APT50N60JCU2 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 | 类似代替 | ISOTOP ?升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module | APT50N60JCCU2和APT50N60JCU2的区别 | |
型号: MKE38RK600DFELB-TRR 品牌: IXYS Semiconductor 封装: N-CH 600V 50A | 功能相似 | N-CH 600V 50A | APT50N60JCCU2和MKE38RK600DFELB-TRR的区别 |