APT12057B2LLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 5155pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 690000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 T-MAX
封装 T-MAX
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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