APT33N90JCU3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
正向电压 3.1 V
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 290 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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