APT5010JLL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT5010JLL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 41.0 A
极性 N-CH
输入电容 4.36 nF
栅电荷 95.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 41.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 4360pF @25VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 378000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT5010JLL引脚图与封装图
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在线购买APT5010JLL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT5010JLL | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 500V 41A | 搜索库存 |
替代型号APT5010JLL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT5010JLL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 500V 41A 4.36nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 500V 41A | 当前型号 |
| 型号： APT5010JFLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 500V 41A 4.36nF | 完全替代 | SOT-227 N-CH 500V 41A | APT5010JLL和APT5010JFLL的区别 |
| 型号： IXFN80N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 500V 80A 55mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V | APT5010JLL和IXFN80N50的区别 |