APT33N90JCU2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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