APT8020B2LLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT8020B2LLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 38.0 A
极性 N-CH
耗散功率 694 W
输入电容 5.20 nF
栅电荷 195 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 38.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 694W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 26.49 mm
宽度 20.5 mm
高度 5.21 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT8020B2LLG引脚图与封装图
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在线购买APT8020B2LLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT8020B2LLG | Microsemi 美高森美 | T-MAX N-CH 800V 38A | 搜索库存 |
替代型号APT8020B2LLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT8020B2LLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 800V 38A 5.2nF | 当前型号 | T-MAX N-CH 800V 38A | 当前型号 |
| 型号： APT8024B2LLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 800V 31A 4.67nF | 类似代替 | N沟道 800V 31A | APT8020B2LLG和APT8024B2LLG的区别 |
| 型号： APT8020B2FLLG 品牌： 美高森美 封装： T-MAX 800V 38A 5.2nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab T-MAX | APT8020B2LLG和APT8020B2FLLG的区别 |
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