APT50GP60JDQ2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT50GP60JDQ2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 100 A
耗散功率 329 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 5.7nF @25V
额定功率Max 329 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 329000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT50GP60JDQ2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT50GP60JDQ2 | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 329000mW 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |