APT10M11JVRU2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10M11JVRU2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 450 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 142A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 8600pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.2 mm
宽度 25.4 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10M11JVRU2引脚图与封装图
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