APT21M100J
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT21M100J中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
耗散功率 462 W
输入电容 8.50 nF
栅电荷 260 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 8500pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 462W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT21M100J引脚图与封装图
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在线购买APT21M100J
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT21M100J | Microsemi 美高森美 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号APT21M100J
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT21M100J 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 1kV 21A 8.5nF | 当前型号 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： APT10050JVFR 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 19A 7.9nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227 | APT21M100J和APT10050JVFR的区别 |
| 型号： IXTN21N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-Channel 1kV 21A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 1000V 21A | APT21M100J和IXTN21N100的区别 |
| 型号： APT10043JVR 品牌： Advanced Power Technology 封装： | 功能相似 | POWER MOS V 1000V 22A 0.43Ω | APT21M100J和APT10043JVR的区别 |