APT39F60J
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT39F60J中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 480000 mW
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 42A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
APT39F60J引脚图与封装图
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