APT51F50J
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 51A
输入电容Ciss 11600pF @25VVds
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Screw
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free