APT150GN60J
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT150GN60J中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 220 A
耗散功率 536000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 9.2nF @25V
额定功率Max 536 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 536000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT150GN60J引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT150GN60J
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT150GN60J | Microsemi 美高森美 | 功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs | 搜索库存 |