APT26F120B2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT26F120B2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 26.0 A
极性 N-CH
耗散功率 1135W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
输入电容Ciss 9670pF @25VVds
耗散功率Max 1135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT26F120B2引脚图与封装图
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在线购买APT26F120B2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT26F120B2 | Microsemi 美高森美 | N沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335ns | 搜索库存 |
替代型号APT26F120B2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT26F120B2 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 1.2kV 26A | 当前型号 | N沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335ns | 当前型号 |
| 型号： APT26F120L 品牌： 美高森美 封装： TO-264 1.2kV 26A | 功能相似 | N沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335ns | APT26F120B2和APT26F120L的区别 |
| 型号： IXFX26N120P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1200V 26A | 功能相似 | PLUS N-CH 1200V 26A | APT26F120B2和IXFX26N120P的区别 |