APT30GP60JDQ1

Microsemi(美高森美) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 4Pin SOT-227

IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP®

得捷:
IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 4-Pin SOT-227

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 4-Pin SOT-227

APT30GP60JDQ1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 63.0 A

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 3.2nF @25V

额定功率Max 245 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 245000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT30GP60JDQ1引脚图与封装图

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