APT50M65B2LLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT50M65B2LLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 67.0 A
极性 N-CH
耗散功率 694W Tc
输入电容 7.01 nF
栅电荷 141 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
输入电容Ciss 7010pF @25VVds
额定功率Max 694 W
耗散功率Max 694W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT50M65B2LLG引脚图与封装图
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在线购买APT50M65B2LLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT50M65B2LLG | Microsemi 美高森美 | T-MAX N-CH 500V 67A | 搜索库存 |
替代型号APT50M65B2LLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT50M65B2LLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 500V 67A 7.01nF | 当前型号 | T-MAX N-CH 500V 67A | 当前型号 |
| 型号： APT50M65B2FLLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 N-CH 500V 67A 7.01nF | 类似代替 | T-MAX N-CH 500V 67A | APT50M65B2LLG和APT50M65B2FLLG的区别 |