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APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

数据手册.pdf
APT10045B2LLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 23.0 A

耗散功率 565 W

输入电容 4.35 nF

栅电荷 154 nC

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 23.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 4350pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 565W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT10045B2LLG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
APT10045B2LLG Microsemi 美高森美 Trans MOSFET N-CH 1kV 23A 3Pin3+Tab T-MAX 搜索库存
替代型号APT10045B2LLG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT10045B2LLG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-264 1kV 23A 4.35nF

当前型号

Trans MOSFET N-CH 1kV 23A 3Pin3+Tab T-MAX

当前型号

型号: APT10035B2LLG

品牌: 美高森美

封装: TO-264 1kV 28A 5.18nF

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