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APT50M65B2FLLG

APT50M65B2FLLG

数据手册.pdf

T-MAX N-CH 500V 67A

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by . Its maximum power dissipation is 694000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT50M65B2FLLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 67.0 A

极性 N-CH

耗散功率 694000 mW

输入电容 7.01 nF

栅电荷 141 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 67.0 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 7010pF @25VVds

额定功率Max 694 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 694W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT50M65B2FLLG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号APT50M65B2FLLG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT50M65B2FLLG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-264 N-CH 500V 67A 7.01nF

当前型号

T-MAX N-CH 500V 67A

当前型号

型号: APT50M65B2LLG

品牌: 美高森美

封装: TO-264 N-CH 500V 67A 7.01nF

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