APT38M50J
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT38M50J中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 38.0 A
极性 N-CH
耗散功率 357 W
输入电容 8.80 nF
栅电荷 220 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 38.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 8800pF @25VVds
额定功率Max 357 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357W Tc
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT38M50J引脚图与封装图
暂无图片