锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

APT6011LVRG

数据手册.pdf
Microsemi 美高森美 分立器件
APT6011LVRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 49.0 A

极性 N-CH

输入电容 8.90 nF

栅电荷 450 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 49.0 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 8900pF @25VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264

外形尺寸

封装 TO-264

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT6011LVRG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT6011LVRG
型号 制造商 描述 购买
APT6011LVRG Microsemi 美高森美 TO-264 N-CH 600V 49A 搜索库存
替代型号APT6011LVRG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT6011LVRG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-264 N-CH 600V 49A 8.9nF

当前型号

TO-264 N-CH 600V 49A

当前型号

型号: APT6011LVFRG

品牌: 美高森美

封装:

类似代替

TO-264 N-CH 600V 49A

APT6011LVRG和APT6011LVFRG的区别

型号: APT6011LVR

品牌: 美高森美

封装:

类似代替

TO-264 N-CH 600V 49A

APT6011LVRG和APT6011LVR的区别

型号: IXFK44N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-264-3 600V 44A 130mΩ

功能相似

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ 系列### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

APT6011LVRG和IXFK44N60的区别