APT10050B2VFRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10050B2VFRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
极性 N-CH
耗散功率 520 W
输入电容 7.90 nF
栅电荷 500 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 T-MAX
外形尺寸
封装 T-MAX
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10050B2VFRG引脚图与封装图
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在线购买APT10050B2VFRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10050B2VFRG | Microsemi 美高森美 | T-MAX N-CH 1000V 21A | 搜索库存 |
替代型号APT10050B2VFRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10050B2VFRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 1kV 21A 7.9nF | 当前型号 | T-MAX N-CH 1000V 21A | 当前型号 |
| 型号： APT10050B2VRG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 N-CH 1kV 21A 7.9nF | 完全替代 | T-MAX N-CH 1000V 21A | APT10050B2VFRG和APT10050B2VRG的区别 |
| 型号： IXFX21N100Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS N-CH 1000V 21A | 功能相似 | PLUS N-CH 1000V 21A | APT10050B2VFRG和IXFX21N100Q的区别 |