APT36N90BC3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
晶体管
APT36N90BC3G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 390 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 36.0 mA
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 7463pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 390W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
APT36N90BC3G引脚图与封装图
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在线购买APT36N90BC3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT36N90BC3G | Microsemi 美高森美 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | 搜索库存 |
替代型号APT36N90BC3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT36N90BC3G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247-3 N-Channel 900V 36mA | 当前型号 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IPW90R120C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-247 N-Channel 900V 36A | 功能相似 | INFINEON IPW90R120C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V | APT36N90BC3G和IPW90R120C3的区别 |