APT34F100B2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT34F100B2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 34.0 A
耗散功率 1135000 mW
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 9835pF @25VVds
额定功率Max 1135 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT34F100B2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT34F100B2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT34F100B2 | Microsemi 美高森美 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 搜索库存 |