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APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

数据手册.pdf

ISOTOP降压斩波NPT IGBT ISOTOP Buck chopper NPT IGBT

The IGBT transistor from will work effectively even with higher currents. Its maximum power dissipation is 0.1 mW. It has a maximum collector emitter voltage of ±20 V. This device is made with npt technology. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

APT30GF60JU3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 192 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.85nF @25V

额定功率Max 192 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.4 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT30GF60JU3引脚图与封装图
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