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APT48M80L

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The power MOSFET from provides the solution. Its maximum power dissipation is 1135000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

APT48M80L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 48.0 A

漏源极电阻 190 mΩ

耗散功率 1.135 kW

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 48.0 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 9330pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1135W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.31 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-264-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT48M80L引脚图与封装图
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