APT84F50B2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT84F50B2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 65 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.135 kW
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 84A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 13500pF @25VVds
额定功率Max 1135 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
APT84F50B2引脚图与封装图
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