APT29F100L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT29F100L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 29.0 A
耗散功率 1040 W
输入电容 8.50 nF
栅电荷 260 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 29.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 8500pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT29F100L引脚图与封装图
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在线购买APT29F100L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT29F100L | Microsemi 美高森美 | 1000V ， 29A ， 0.46ヘ最大， TRR ÷ 270ns N沟道FREDFET 1000V, 29A, 0.46ヘ Max, trr ÷270ns N-Channel FREDFET | 搜索库存 |