APT31M100B2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT31M100B2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 31.0 A
极性 N-CH
耗散功率 1040 W
输入电容 8.50 nF
栅电荷 260 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 8500pF @25VVds
额定功率Max 1040 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT31M100B2引脚图与封装图
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