APT10086BVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10086BVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 13.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 4.44 nF
栅电荷 275 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 13.0 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10086BVRG引脚图与封装图
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在线购买APT10086BVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10086BVRG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 1kV 13A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号APT10086BVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10086BVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 1kV 13A 4.44nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 13A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： APT10086BVR 品牌： 美高森美 封装： TO-247 N-CH 1000V 13A | 类似代替 | TO-247 N-CH 1000V 13A | APT10086BVRG和APT10086BVR的区别 |
| 型号： STW13NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 1kV 13A 700mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V | APT10086BVRG和STW13NK100Z的区别 |