APT5010LLLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT5010LLLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 46.0 A
极性 N-CH
耗散功率 520W Tc
输入电容 4.36 nF
栅电荷 95.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 46.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4360pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT5010LLLG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT5010LLLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT5010LLLG | Microsemi 美高森美 | 功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel | 搜索库存 |
替代型号APT5010LLLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT5010LLLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 500V 46A 4.36nF | 当前型号 | 功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel | 当前型号 |
| 型号： APT5010LFLLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 N-CH 500V 46A 4.36nF | 类似代替 | TO-264 N-CH 500V 46A | APT5010LLLG和APT5010LFLLG的区别 |
| 型号： APT5010LFLL 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | TO-264 N-CH 500V 46A | APT5010LLLG和APT5010LFLL的区别 |
| 型号： APT5010LLL 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel | APT5010LLLG和APT5010LLL的区别 |