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APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

数据手册.pdf

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

This powerful and secure IGBT transistor from will make sure your circuit works properly. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 543000 mW. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

APT50GN120L2DQ2G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 134 A

耗散功率 543 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 543 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 543000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 26.49 mm

宽度 20.5 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT50GN120L2DQ2G引脚图与封装图
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