APT20M38SVRG/TR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 370W Tc
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 6120pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT20M38SVRG/TR | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3Pin2+Tab D3PAK | 搜索库存 |