APT85GR120L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 962000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 962 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 962000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT85GR120L | Microsemi 美高森美 | APT85GR120 系列 1200 V 85 A 962 W 490 nC NPT IGBT - TO-264 | 搜索库存 |