APT47N65BC3G

Microsemi(美高森美) 分立器件

增加功率耗散 Increased Power Dissipation

N-Channel 650V 47A Tc 417W Tc Through Hole TO-247 [B]

得捷:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

贸泽:
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin3+Tab TO-247

富昌:
APT47N65BC3 N-Channel 650 Vds 47 A 70 mOhm 260nC 417 W Mosfet - TO-247-3

DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

APT47N65BC3G中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 70 mΩ

耗散功率 417 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 7015pF @25VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT47N65BC3G引脚图与封装图

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