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APT20M38SVRG

APT20M38SVRG

数据手册.pdf
APT20M38SVRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 67.0 A

耗散功率 370 W

输入电容 6.12 nF

栅电荷 225 nC

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 67.0 A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 6120pF @25VVds

额定功率Max 370 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 370W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 13.99 mm

高度 5.08 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT20M38SVRG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
APT20M38SVRG Microsemi 美高森美 200V 67A 0.038W 200V 67A 0.038W 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT20M38SVRG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-252-3 200V 67A 6.12nF

当前型号

200V 67A 0.038W 200V 67A 0.038W

当前型号

型号: APT20M38SVR

品牌: 美高森美

封装:

功能相似

Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3Pin2+Tab D3PAK

APT20M38SVRG和APT20M38SVR的区别