APT20M38SVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
额定电压DC 200 V
额定电流 67.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 6.12 nF
栅电荷 225 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 6120pF @25VVds
额定功率Max 370 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 13.99 mm
高度 5.08 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT20M38SVRG | Microsemi 美高森美 | 200V 67A 0.038W 200V 67A 0.038W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT20M38SVRG 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-252-3 200V 67A 6.12nF | 当前型号 | 200V 67A 0.038W 200V 67A 0.038W | 当前型号 | |
型号: APT20M38SVR 品牌: 美高森美 封装: | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3Pin2+Tab D3PAK | APT20M38SVRG和APT20M38SVR的区别 |