APT77N60SC6
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT77N60SC6中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 481W Tc
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 13600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 481W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT77N60SC6引脚图与封装图
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在线购买APT77N60SC6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT77N60SC6 | Microsemi 美高森美 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | 搜索库存 |
替代型号APT77N60SC6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT77N60SC6 品牌： Microsemi 美高森美 封装： D3 | 当前型号 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | 当前型号 |
| 型号： APT77N60BC6 品牌： 美高森美 封装： TO-247-3 | 功能相似 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | APT77N60SC6和APT77N60BC6的区别 |