锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

数据手册.pdf

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

This powerful and secure IGBT transistor from will make sure your circuit works properly. Its maximum power dissipation is 625000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT80GA60LD40中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 625000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 22 ns

额定功率Max 625 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APT80GA60LD40引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT80GA60LD40
型号 制造商 描述 购买
APT80GA60LD40 Microsemi 美高森美 高速PT IGBT High Speed PT IGBT 搜索库存