APT50GP60B2DQ2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT50GP60B2DQ2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 150 A
耗散功率 625000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 625 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT50GP60B2DQ2G引脚图与封装图
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在线购买APT50GP60B2DQ2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT50GP60B2DQ2G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625000mW 3Pin3+Tab T-MAX | 搜索库存 |
替代型号APT50GP60B2DQ2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT50GP60B2DQ2G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 600V 150A 625000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625000mW 3Pin3+Tab T-MAX | 当前型号 |
| 型号： APT50GP60LDLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264-3 | 完全替代 | 谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT | APT50GP60B2DQ2G和APT50GP60LDLG的区别 |
| 型号： APT50GP60B2DQ2 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | IGBT 600V 150A 625W TMAX | APT50GP60B2DQ2G和APT50GP60B2DQ2的区别 |