APT64GA90B2D30
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT64GA90B2D30中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500000 mW
击穿电压集电极-发射极 900 V
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT64GA90B2D30引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT64GA90B2D30
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT64GA90B2D30 | Microsemi 美高森美 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 搜索库存 |